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压控晶振SMD14092013/03/28

压控晶振SMD1409

	压控晶振		VCXO
一、压控晶振技术规格
指标参数		参数值			备注
	频率范围	5-300MHZ			可定制
	输出波形	Sine	方波	PECL
输出	输出幅度	0-7dBm	标准	标准	可定制
特性	输出负载	50Ω	15pF	/
	谐波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	杂散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	温度特性	±25ppm			@25℃
	温度范围	-40 ＋85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
频率	相位噪声
稳定	@10Hz	≤-65dBc/Hz
性	@100Hz	≤-95dBc/Hz
	@1KHz	≤-122dBc/Hz			@122.88MHz
	@10KHz	≤-138dBc/Hz
	@100KHz	≤-142dBc/Hz
频率	调节方式	电压调节
调节	压控电压范围	按照客户要求			@电压调节
	频率调节范围	±50-±150ppm			可定制
	线性度	±1%/±3%/±5%	Max
	压控斜率	正斜率
电源	工作电压	3.3V / 5V
输入	工作电流	50mA Max			@122.88MHz
储存温度		-55 ＋125 ℃

	压控晶振		VCXO
一、压控晶振技术规格
指标参数		参数值			备注
	频率范围	5-300MHZ			可定制
	输出波形	Sine	TTL	HCMOS
输出	输出幅度	0-7dBm	标准	标准	可定制
特性	输出负载	50Ω	15pF	15pF
	谐波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	杂散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	温度特性	±25ppm			@25℃
	温度范围	-40 ＋85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
频率	相位噪声
稳定	@10Hz	≤-120dBc/Hz
性	@100Hz	≤-125dBc/Hz
	@1KHz	≤-130dBc/Hz			@32.768MHz
	@10KHz	≤-140dBc/Hz
	@100KHz	≤-145dBc/Hz
频率	调节方式	电压调节
调节	压控电压范围	按照客户要求			@电压调节
	频率调节范围	±50-±150ppm			可定制
	线性度	±1%/±3%/±5%	Max
	压控斜率	正斜率
电源	工作电压	3.3V / 5V
输入	工作电流	15mA Max			@32.768MHz
储存温度		-55 ＋125 ℃

	压控晶振		VCXO
一、压控晶振技术规格
指标参数		参数值			备注
	频率范围	5-300MHZ			可定制
	输出波形	Sine	方波	PECL
输出	输出幅度	0-7dBm	标准	标准	可定制
特性	输出负载	50Ω	15pF	/
	谐波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	杂散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	温度特性	±25ppm			@25℃
	温度范围	-40 ＋85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
频率	相位噪声
稳定	@10Hz	≤-70dBc/Hz
性	@100Hz	≤-90dBc/Hz
	@1KHz	≤-120dBc/Hz			@317MHz
	@10KHz	≤-130dBc/Hz
	@100KHz	≤-145dBc/Hz
频率	调节方式	电压调节
调节	压控电压范围	按照客户要求			@电压调节
	频率调节范围	±50-±150ppm			可定制
	线性度	±1%/±3%/±5%	Max
	压控斜率	正斜率
电源	工作电压	3.3V / 5V / 12V
输入	工作电流	30mA Max			@317MHz
储存温度		-55 ＋125 ℃